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好在三星是負(fù)責(zé)任的，承諾的新固件也終于來(lái)了，今天就為840 EVO放出了新版本“EXT0DB6Q”。
由于掉速問(wèn)題的根源在于19nm TLC NAND閃存本身，Cell單元的充電電荷會(huì)隨時(shí)間衰減，導(dǎo)致硬盤(pán)在獲取正確數(shù)據(jù)的時(shí)候不得不反復(fù)嘗試讀取，進(jìn)而影響性能，所以是不可能從根本上解決的，三星的方法只不過(guò)是間歇性地強(qiáng)制刷新數(shù)據(jù)，從而避免數(shù)據(jù)“變老”。
為了方便用戶(hù)手動(dòng)控制，Magician 4.6版工具還加入了高級(jí)性能優(yōu)化(Advanced Performance Optimization)，類(lèi)似三星此前給出的性能恢復(fù)工具，用戶(hù)讓固態(tài)硬盤(pán)重寫(xiě)所有內(nèi)部數(shù)據(jù)。
這自然會(huì)消耗山村的一部分編程/擦寫(xiě)循環(huán)，而且考慮到TLC閃存的壽命本來(lái)就相對(duì)較短，是不是更不耐用了？這個(gè)要從兩方面看了：首先，壽命縮短是必然的；其次，不會(huì)短到?jīng)]法用，因?yàn)門(mén)LC的編程/擦寫(xiě)循環(huán)至少有1000次，而即便你每周刷新一次，持續(xù)五年，也只會(huì)消耗總次數(shù)的26％，剩下的仍然夠用好多年的。
另外，三星已經(jīng)開(kāi)始全面轉(zhuǎn)向3D V-NAND，新的立體閃存比傳統(tǒng)平面閃存更加可靠，不會(huì)再有類(lèi)似的問(wèn)題了。
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